Descrição

Integrado ao Grupo de Optoeletrônica do Centro de Estudos em Telecomunicações (CETUC) do Departamento de Engenharia Elétrica (DEE) da PUC-Rio, o Laboratório de Semicondutores (LabSem) conta com equipamentos de última geração, capazes de fornecer amostras de qualidade comparável aos mais altos padrões internacionais.

No LabSem são realizadas pesquisas básica e aplicada na área de materiais semicondutores III-V para dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos utilizados em telecomunicações.

As atividades abrangem desde o crescimento epitaxial (por camadas), até a confecção dos dispositivos, passando por diferentes etapas de estudo e caracterização de propriedades ópticas, elétricas, eletrônicas, optoeletrônicas e estruturais. Através do know-how e das tecnologias do LabSem, foram obtidos materiais e estruturas que possibilitam a fabricação de dispositivos com valores recorde de figuras de mérito.

Equipe

Coordenadora: Patrícia Lustoza de Souza
Professores associados: Guilherme Monteiro Torelly, Maurício Pamplona Pires (UFRJ), Pedro Henrique Pereira (UERJ), Roberto Jakomin (UFRJ), Germano Penello (USP)
Técnico: Marcelo Lessa
Pós-docs: Rudy Massami Sakamoto Kawabata, Luciana Dornelas

Principais Serviços

- Pesquisas básica e aplicada na área de materiais semicondutores III-V para dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos utilizados em telecomunicações.
- Crescimento epitaxial (por camadas).
- Processamento de amostras de materiais semicondutores para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos.
- Confecção dos dispositivos.
- Caracterização de propriedades ópticas, elétricas, eletrônicas, optoeletrônicas e estruturais.
- Fabricação de dispositivos com valores recorde de figuras de mérito.

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      Técnicas e equipamentos
      • Fotodetectores de infravermelho baseados em poços quânticos (QWIPs)
      • Fotodetectores de infravermelho baseados em pontos quânticos (QDIPs)
        Células solares
      • Fios quânticos
      • Redes de pontos quânticos auto-organizados: fabricação controlada e caracterização de nanoestruturas semicondutoras
      • Estruturas de poços quânticos múltiplos de InGaAs/InAlAs para modulação de amplitude
      • Caracterização de diodos de InGaAs/InAlAs
      • Interdifusão em estruturas de poços quânticos
      • Estruturas pseudomórficas de InGaAs/InAlAs
      • Impurezas em camadas epitaxiais
      • Crescimento seletivo para a integração modulador de amplitude/guia de onda
      • Estruturas com dopagem planar
      • Moduladores de amplitude com super rede de dopagem planar
      • Estruturas de pontos quânticos
      • Reator MOVPE
      • Evaporador
      • Spinner
      • Alinhadora de máscaras
      • Microssoldadora
      • Forno
      • Microscópio óptico
      • Estação de pontas
      • Perfilômetro de Contato
      • Difratômetro
      • Efeito Hall
      • Perfilômetro de C/V
      • Fotoluminescência
      • Espectrômetro de Infravermelho por Transformada de Fourier
      • Campo Próximo
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